在電子束曝光下使用納米位移臺時，樣品可能會受到電子束的熱影響。為了避免或降低這種影響，可以采取以下措施：
使用低電子束能量： 降低電子束的能量可以減少其在樣品上產生的熱效應。選擇適當的電子束加速電壓，使其保持在相對較低的水平，以減少熱損耗。
限制曝光時間： 減少電子束照射的時間，以降低樣品的熱積累。將曝光時間限制在必要的節點，以獲得所需的成像或分析結果。
使用脈沖電子束： 如果設備支持，可以考慮使用脈沖電子束而非連續電子束。脈沖電子束照射時間短，有助于減少熱傳導到樣品的程度。
散熱： 提供樣品附近的有效散熱系統，以幫助快速冷卻樣品表面。這可以通過空氣或液體冷卻系統來實現。
使用導熱性好的樣品支持： 選擇具有較好導熱性的樣品支持，以幫助迅速傳遞熱量，防止在樣品上產生過多的熱積累。
考慮樣品固定： 在進行電子束曝光之前，可以考慮使用合適的固定劑或支撐結構來確保樣品的穩定性。這有助于減小因電子束造成的振動和熱效應。
避免高電流密度： 盡量避免使用高電子束的電流密度。選擇適當的束流，以減小對樣品的熱影響。
監測溫度： 在實驗過程中監測樣品的溫度。使用溫度監測設備，如紅外熱像儀或熱電偶，以實時監測樣品的溫度，確保不超過安全范圍。
以上就是卓聚科技小編分享的納米位移臺在電子束曝光下如何避免樣品的熱影響。更多位移臺產品及價格請咨詢